汇报东说念主简介：
李黄龙，清华大学副教悔。从过后摩尔时期半导体器件、材料期间以及神经方法工程忖度。2010年得到北京大学学士学位（物理），2014年得到英国剑桥大学博士学位（电子工程），同庚加入清华大学（博士后 (2014)—助理教悔 (2017)—副教悔 (2019)）。担任Materials Today Communications编委部成员和Frontiers in Nanotechnology客座副裁剪。入选2019年中国科协“后生东说念主才托举工程”和2020年北京脑科学与类脑忖度中心“北脑后生学者”培养瞎想。李黄龙博士曾在Nature Communication、Advanced Materials 等有名学术期刊发表忖度闭幕多篇；曾参与民众首款异构会通类脑芯片“清华天机”芯片的设置职责。
摘录：
在往常的半个多世纪，集成电路产业一直受晶体管微缩起原来发展（“摩尔定律”）。然则，跟着晶体管尺寸络续松开，微缩的难度执续加多，性能进步的空间络续松开，集成电路的发展渐渐参预“后摩尔”时期。在“后摩尔”时期，除了晶体管微缩，新式器件和电路功能更是成为主要驱能源。新材料是新功能的主要来源之一。
包括低维半导体在内的新式半导体材料提供了传统硅材料所不具备的新式特质。然则，由于现在硅期间特别熟谙，新式半导体能否替代传统材料很猛流程上取决于是否找到了新式半导体的“杀手级诳骗”。
卡通动漫该汇报将先容新兴的层状二维“金属：半导体范德华异质结”和单质半导体“碲（Te）”各自的一个潜在“杀手级诳骗”：（1）由于其专有的原子级光滑界面特质，以及咱们通过表面计较所发现的二维金属“冷源“特质，层状二维”金属：半导体范德华异质结”具备替代硅来构造低功耗晶体管的自然上风1；（2）由于其电化学活性、半导体性和低熔点特质，咱们在履行上展示了Te半导体具备替代Cu, Ag等传统金属材料来构造“阻变器件”的自然上风，并有望使这么的“阻变器件”成为存算一体电路和神经方法电路的普适基元器件2。
[1] J. Lyu, H. Li* et al., A new opportunity for 2D van der Waals heterostructures: making steep-slope transistors, Advanced Materials 32, 1906000 (2020).
[2] Y. Yang, H. Li* et al., A new opportunity for the emerging tellurium semiconductor: making resistive switching devices, Nature Communications 12, 6081 (2021.
主执东说念主：李贤斌 教悔
时候：2021年12月28日（周二）下昼1:30 - 3:30
方位：吉林大学南区唐敖庆楼D区314
吉林大学电子科学与工程学院
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